カリキュラムモデル
分類番号 E203-005-2
訓練分野 | 電気・電子系(E) |
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訓練コース | 半導体プロセス基礎 |
訓練対象者 | 半導体デバイスの設計・製造・検査に従事する者 |
訓練目標 | 半導体ウエハプロセスの基本を習得する。 |
教科の細目 | 内容 | 訓練時間(H) |
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1.半導体プロセスの概要 | (1)ウエハプロセスの定義 (2)ウエハプロセスの構成 |
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2.洗浄技術 | (1)洗浄技術の基本 (2)ウエハプロセスに於ける洗浄技術 (3)洗浄とその効果 |
2 |
3.酸化技術 | (1)酸化技術の基本 (2)ウエハプロセスに於ける酸化技術 (3)酸化技術の実際 |
2 |
4.拡散技術 | (1)拡散技術の基本 (2)ウエハプロセスに於ける拡散技術 (3)拡散技術の実際 |
2 |
5.イオン注入 | (1)イオン注入技術の基本 (2)イオン注入技術の利点、欠点 (3)イオン注入技術のデバイスへの応用 |
2 |
6.薄膜形成技術 | (1)CVD、PVD技術の基本 (2)ウエハプロセスに於けるCVD、PVD技術 (3)CVD、PVD技術の諸問題 |
4 |
7.エッチング技術 | (1)エッチング技術の基本 (2)ウエットエッチング技術 (3)ドライエッチング技術 |
2 |
8.リソグラフィ技術 | (1)レジストプロセスの基本 (2)レジストプロセスの実際 (3)レジストプロセスの問題点 |
2 |
訓練時間合計 | 18 |
使用器具等 |
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