カリキュラムシート
分類番号 A102-001-A
| 訓練分野 | 電気・電子系 |
|---|---|
| 訓練コース | 半導体製造現場における高精度評価技術 |
| 訓練対象者 | 電子部品又は半導体製造におけるデバイスの微細加工及び評価に従事する技能・技術者等であって、指導的・中核的な役割を担う者又はその候補者 |
| 訓練目標 | 電気材料／電子材料評価の生産性の向上をめざして、効率化、最適化（改善）に向けた評価のための各種測定実習を通して、半導体の電気的・光学的評価の原理や評価基準を理解し、新しい素材や素子の開発あるいは特性改善や不良解析に必要な知識と技術を習得する。 |
| 教科の細目 | 内容 | 訓練時間（H） | うち実習・ まとめ（H） |
|---|---|---|---|
| １．コース概要及び留意事項 | （１）訓練コースの概要説明 （２）専門的能力の現状確認 （３）安全上の留意事項 |
0.5 | |
| ２．評価法の分類 | （１）電気的特性 （２）光学的特性 （３）表面形態の観察と結晶構造の解析 （４）組成と化学構造の分析 |
0.5 | |
| ３．電気的評価法 | （１）電流－電圧（Ｉ－Ｖ）法 （２）容量－電圧（Ｃ－Ｖ）法 （３）抵抗率の測定 （４）ホール測定 |
2 | 2 |
| ４．光学的評価法 | （１）エリプソメトリー法 （２）赤外分光法（ＩＲ） （３）光励起法 |
2 | 2 |
| ５．その他の物理化学的評価法 | （１）走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ） （２）Ｘ線回折法（ＸＤ） （３）オージェ電子分光法（ＡＥＳ） （４）Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ） （５）二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ） （６）反射高速電子線回折法（ＲＨＥＥＤ） |
3 | 3 |
| ６．電気特性の測定 | （１）電子素子の電流－電圧特性の測定と評価 （２）四探針法による電子材料の抵抗率の測定 |
1.5 | 1.5 |
| ７．薄膜の光学的測定 | （１）エリプソメトリー法による薄膜材料の膜厚と屈折率 の測定 |
1.5 | 1.5 |
| ８．ＳＥＭによる試料観察 | （１）導体、半導体試料の観察 （２）絶縁物の観察と試料の前処理方法 |
3 | 3 |
| ９．元素分析 | （１）ＡＥＳによる元素分析 （２）ＸＰＳによる元素分析と化学結合状態の解析 |
3 | 3 |
| １０．まとめ | （１）実習の全体的な講評及び確認・評価 |
1 | 1 |
| 訓練時間合計 | 18 | 17 |
| 使用器具等 | Ｉ－Ｖ自動測定システム、エリプソメータ、走査型電子顕微鏡、複合型表面元素分析装置 |
|---|---|
| 養成する能力 | 生産性の向上を実現できる能力 |
| 改訂日 | 2022.08 |